FC2ブログ

東大など、グラフェンデバイスの性能劣化原因とされる高抵抗領域の形成メカニズム解明

日刊工業新聞より。
東大など、グラフェンデバイスの性能劣化原因とされる高抵抗領域の形成メカニズム解明

東京大学放射光連携研究機構の尾嶋正治特任教授、東北大学電気通信研究所、東大工学部の共同研究グループは、
グラフェンFETの電子状態を調べ、デバイスの性能劣化の原因とされる高抵抗領域の形成メカニズムを
明らかにしたと報じられています。
Spring-8に設置した3次元ナノESCA装置を使って、グラフェンFETの電子状態を70nmの空間分解能で
測定し、グラフェンFETのニッケル電極とグラフェン単層膜との界面を調べたところ、グラフェンから電極に電荷が移動しており、界面でp型領域が形成されていることを突き止めたとの事です。
研究成果は以下の論文にもなっているようです。

グラフェンFET画像


Rev. Sci. Instrum. 82, 113701 (2011); http://dx.doi.org/10.1063/1.3657156 (6 pages)

Scanning photoelectron microscope for nanoscale three-dimensional spatial-resolved electron spectroscopy for chemical analysis
K. Horiba1,2,3, Y. Nakamura1, N. Nagamura1, S. Toyoda1, H. Kumigashira1,2,4, M. Oshima1,2,3, K. Amemiya3,5, Y. Senba6, and H. Ohashi6

1Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan
2Synchrotron Radiation Research Organization, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan
3Core Research for Evolutional Science and Technology (CREST), Japan Science and Technology Agency (JST), Tokyo 102-0075, Japan
4Precursory Research for Embryonic Science and Technology (PRESTO), Japan Science and Technology Agency (JST), Saitama 332-0012, Japan
5Photon Factory, Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Tsukuba 305-0801, Japan
6JASRI/SPring-8, Hyogo 679-5198, Japan


■Abstract
In order to achieve nondestructive observation of the three-dimensional spatially resolved electronic structure of solids, we have developed a scanning photoelectron microscope system with the capability of depth profiling in electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA). We call this system 3D nano-ESCA. For focusing the x-ray, a Fresnel zone plate with a diameter of 200 μm and an outermost zone width of 35 nm is used. In order to obtain the angular dependence of the photoelectron spectra for the depth-profile analysis without rotating the sample, we adopted a modified VG Scienta R3000 analyzer with an acceptance angle of 60° as a high-resolution angle-resolved electron spectrometer. The system has been installed at the University-of-Tokyo Materials Science Outstation beamline, BL07LSU, at SPring-8. From the results of the line-scan profiles of the poly-Si/high-k gate patterns, we achieved a total spatial resolution better than 70 nm. The capability of our system for pinpoint depth-profile analysis and high-resolution chemical state analysis is demonstrated.

Spring-8 ニュースリリース:三次元ナノESCA装置を用いて70nm空間分解能で角度分解測定を実証


>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>
東京大学放射光連携研究機構の尾嶋正治特任教授、東北大学電気通信研究所、東大工学部の共同研究グループは、グラフェンFETの電子状態を調べ、デバイスの性能劣化の原因とされる高抵抗領域の形成メカニズムを明らかにした。
この知見を基にグラフェンの作製方法を変えれば、デバイスの高速化につながる電子移動度が従来比約4倍に向上する。
 尾嶋特任教授らは、永村直佳東北大学助教、堀場弘司高エネルギー加速器研究機構特任准教授と共同で開発した、大型放射光施設「スプリング8」(兵庫県佐用町)の東大放射光アウトステーションに設置した3次元ナノESCA装置を使って、グラフェンFETの電子状態を世界最高精度である70ナノメートルの空間分解能で測定した。
 この装置を使ってグラフェンFETのニッケル電極とグラフェン単層膜との界面を調べたところ、グラフェンから電極に電荷が移動しており、界面でp型領域が形成されていることを突き止めた。
>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>>
関連記事
スポンサーサイト



この記事へのコメント

トラックバック

URL :

プロフィール

miyabi

  • Author:miyabi
  • 2013/1よりディスプレイ周りの技術情報を掲載。

    Twitter @deep2black
カレンダー
10 | 2020/11 | 12
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 - - - - -
最近の記事
タグリスト
カテゴリー
アーカイブ
リンク
人気記事
ブログ内検索
関連書籍
RSSフィード
Twitter