【抜粋記事】次期iPhoneで採用? イビデン、メイン基板向けMSAPを展示、面積を半分に

日経テクノロジーオンライン
次期iPhoneで採用? イビデン、メイン基板向けMSAPを展示、面積を半分に

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イビデンは、配線/配線間隔が30μm/30μmといった微細配線を可能にするMSAP技術を、携帯電話などのマザーボード(メイン基板)に対応した展示を「JPCA Show 2017」で行った




同社は、2016年にマレーシアと北京に持つメイン基板工場へのMSAP技術導入を完了しており、2017年第1四半期から量産を開始しているという


MSAPはModified Semi Additive Processの略で、めっきにより微細配線を形成するSAP法(Semi Additive Process)の一種。従来、メイン基板などで使われてきた、エッチングにより配線を形成するサブトラ法(Savtractive法)は、配線断面のすそが広がりやすく、配線/配線間隔は50μm/50μm程度までと、微細配線への適応は難しい


この動きを牽引しているとうわさされるのが、今年発売される次期iPhoneだ。業界関係者によると、「有機ELディスプレイを導入して大画面化するため、結果的に電池の大容量化要求が出てきた。電池の場所を作るため、メイン基板面積のさらなる縮小で対応すると言われている」


現在、最も微細化が進んでいる量産品は配線幅/配線間隔が30μm/30μm。2018年には25μm/25μmの量産を開始する見込み



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