神奈川産技研など、触媒なしで基板上に直接成長−グラフェン合成開発

日刊工業新聞
神奈川産技研など、触媒なしで基板上に直接成長−グラフェン合成開発

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神奈川県立産業技術総合研究所の金子智主任研究員とジャパン・アドバンスト・ケミカルズ(相模原市中央区)、
東京工業大学の吉本護教授らの研究チームは、触媒が不要で、基板上に直接成長できるグラフェンの
新しい合成法を開発したとしています。
二酸化炭素(CO2)で酸化させる手法で、均一な膜を1層ずつ1分と短時間で効率良く作れるとのこと。
高品質なグラフェン素子の大量生産に道を開くとしており、米化学会発行の科学誌ACSオメガに掲載されています。



研究チームは、酸化剤としてCO2を満たした低温の雰囲気中において、原料となるグラファイト(黒鉛)に
レーザー光を当て、絶縁基板であるチタン酸ストロンチウム上にグラフェン膜を蒸着法で1層ずつ成長させてます。

グラフェン薄膜を作製するには、主に化学気相成長(CVD)を活用しますが、1層を作製するのに数時間かかります。
これに対し、開発手法は、1層当たり約1分で1層ずつ成長させられるとのこと。

段差のある基板を使い、段差端から成長が始まるグラフェンが基板を覆い尽くす前に成長を止めることで、
半導体素子などとして使いやすいワイヤ状にできるとのこと。厚さ約0.33nmの1層の膜の状態を
原子間力顕微鏡(AFM)で観察したところ、グラフェンの構造である、規則的に並んだ
炭素のきれいな六員環が確認できたとのことです。

グラフェンは2004年に発見された原子1個の厚さのシート状の炭素材料。
グラフェン薄膜の作製には、グラファイトからテープで機械的に引きはがす手法や、金属触媒を使って
高温のCVD法で作るといった手法があります。ですが、こうした方法は制御が難しかったり、素子の作製には、
膜をはがして貼りつける「転写」が必要になったりするなど実用面で課題がありました。

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