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無電解銅メッキで「L/S=2/2μm」が可能に

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無電解銅メッキで「L/S=2/2μm」が可能に

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L/Sが2μm/2μmの微細回路形成を可能とする技術「トップUFPプロセス」をパネルで紹介

奥野製薬工業は、「JPCA Show 2016」において、2/2μmのL/S(ラインアンドスペース)で
微細な回路形成を可能とする技術「トップUFP(ウルトラファインパターン)プロセス」をパネルで紹介しています。


<ウェットプロセスでは「5μm/5μmが限界」といわれてきたが>

奥野製薬工業は、「JPCA Show 2016」で、L/S(ラインアンドスペース)が2μm/2μmの微細な回路形成を
可能とする技術「トップUFP(ウルトラファインパターン)プロセス」をパネル展示しています。

ウェットプロセスによるメッキ法だと、これまでは5μm/5μmのL/Sが限界といわれてきました。
このため、それより微細な回路パターンを形成するには、ドライプロセスを用いるしかなかったとのこと。
しかし、ドライプロセスだと装置コストが高くなる上、有機基板などへの適用が難しかったそうです。

こうした中で同社は、2μm/2μmのL/Sを可能とする薬液や微細回路形成技術/プロセスを開発しています。
ナノ銀粒子を触媒に用いる無電解銅メッキ液は、触媒残渣(スミア)除去性に優れており、スミアが要因で生じる
導通不良や密着力不足などの課題を解決しています。パターン外析出も極めて少ないとのこと。
また、ナノ銀触媒用のフラッシュエッチング液も新たに開発しており
アンダーカットのないエッチングが可能となるとしています。

<無電解Pd/Auメッキプロセスも>

無電解Pd(パラジウム)/Au(金)メッキプロセス「トップパラスプロセス」も用意しています。
配線基板やICパッケージなどに設けられた接続端子を最終的に表面処理する技術です。
微細配線に対応しており、はんだやワイヤボンディングの接合信頼性を向上させることができるとしており
被覆性や耐食性、耐熱性にも優れているとのことです。

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