キヤノントッキ、成膜速度を2倍に高めた電子デバイス向けスパッタ技術を開発

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キヤノントッキ、成膜速度を2倍に高めた電子デバイス向けスパッタ技術を開発

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RRシステムの概要

キヤノントッキは、電子デバイス向けスパッタリング装置向けに、従来の円筒カソードと比較し、
膜厚均一性を3ポイント向上となる±2.1%に向上させるとともに、成膜速度を2倍に高めることを可能とする
スパッタリングシステム「RR(Reactive Rotary-cathode:通称、ダブルアール)システム」を
開発したと発表しています。


同システムは、従来のスパッタリング装置に複数の小型円筒カソードを配置し、
反応性スパッタリング技術と融合させた独自技術であり、これを搭載することで
膜厚均一性の向上や高速成膜を実現したとの事。

また、プレーナー型カソードと比較して、材料使用効率を40%から80%へと高めることに成功しており、
トータルのランニングコストの低減も可能となっているとしています。

同社では、同システムを自社のスパッタリング装置「SPLシリーズ」や「SPSシリーズ」に搭載することで、
用途が拡大する電子デバイス、特にSAWデバイスやFBARデバイス、実装基板向けのスパッタリング装置として
提案していく計画としています。
なお、実際に同システムを搭載した装置は、2015年9月に製品化する予定だとしているとの事です。

キャノントッキニュースリリース(PDF)
膜厚均一性±2.1%と成膜速度 2 倍の高速化を同時に実現

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