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「ムーアの法則」が破られるかもしれない:トランジスタと同じ働きをする単分子

Wired.jp
「ムーアの法則」が破られるかもしれない:トランジスタと同じ働きをする単分子

Moores_law_(1970-2011)-wikipedia.png
(ムーアの法則 出典:Wikipedia)

グラスゴー大学などのチームが、トランジスタと同様の働きをする
新しい分子の設計・合成に成功したと報じられています。
現在のフラッシュメモリには記録量の上限があるが、これが破られる可能性があるとの事。


現在のフラッシュメモリのデータセルには金属酸化物半導体(MOS)が使われていますが、
MOSコンポーネントは10nm以下での製造がほぼ不可能であり、これにより記録量の上限が決まっています。
今回、従来のデータ記憶コンポーネントに代えて、単一分子を使うという革新的技術が成功したとの事。
分子ひとつにマルチビットのデータを記憶させることができるようになると、ムーアの法則が破られる可能性があります。

ポリオキソ金属酸塩(POM)と呼ばれるこの新しい金属酸化物クラスタについての論文は、
『Nature』誌に掲載されているそうです。
研究チームは今回、フラッシュメモリと同じように電荷をとらえて振る舞うことができるPOM分子を設計、合成し
制御することができたとの事。
これまでこうした試みは熱安定性の低さと高い抵抗のために、既存のガジェットでの利用に制限がありましたが、
グラスゴー大学のリー・クローニン教授は、
「われわれが開発したPOMの大きな利点のひとつは、すでに業界で広く使われている
デヴァイスと一緒に組み立てられることだ。費用をかけて生産ラインを整備することなく、
新方式のフラッシュメモリとして採用することができる」と話しているとの事です。

単分子トランジスタはこれまでも研究がなされてきていますが、興味深い記事です。

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